长江计算机“七日谈”-科技新知特刊:IBM发布全新相变存储技术
报告要点。 事件描述。 IBM日前正式公布“相变存储”技术,当前单个相变存储单位已可以保存三位数据。在一块芯片中保存更多的数据意味着相变存储的技术成本下降,相对于传统存储技术更具竞争力。 事件评论。 相变存储器(PCM)是利用特殊材料在晶态和非晶态相互转化的相变来存储信息的一种非易失存储设备。相变存储技术结合了DRAM和闪存的优点,DRAM的存取速度是相变存储的5到10倍,但相变存储的存取速度是闪存的约70倍。PCM的功耗更低,其固态硬盘比目前普通固态硬盘的执行速度更快,并且需要擦除。制造成本只有现有半导体工厂或晶圆厂的十分之一,未来它有可能替代硬盘驱动器和多种现有的存储器芯片,而成为具有独占性地位的存储器件。 随着云计算大数据的兴起、数据的迅速增长,对存储器的性能提出更高的要求,存储技术经历了从静态随机存储技术(SRAM)到动态随机存储技术(DRAM),再到当前热门的闪存技术(Flash)几个阶段。目前PC与移动端设备使用能耗较大的DRAM动态存储和存取速度较慢、成本较低的闪存存储。经常遇到卡顿情况,厂商解决通常是为设备扩充内存,而IBM的办法是优化内存优。IBM经过多年对相变存储技术的研究,已经实现单个单位从两位数到三位数的升级。 PCM作为一种可能替代现有存储和闪存的存储技术引来科研机构和硬件厂商的重视,英特尔、IBM、三星以及美光等公司和大量的高校、研究所都在这一领域大力投入进行研究。国内研究机构和企业在PCM研究领域也取得了不错的成绩,成功研发出了具有自主知识产权的相变存储器芯片,打破了存储器芯片生产技术长期被国外垄断的局面。 |