华灿光电(300323)4月2日晚间公告，拟定增募集资金不超15亿元，将用于mini/Micro LED的研发与制造项目、GaN基电力电子器件的研发与制造项目。 自公司创立之初，公司管理层高度重视技术创新并将技术创新能力视为公司核心竞争力之一，亦投入了相当大资源进行研发工作，积极鼓励员工进行研发并申请专利，以保证公司产品的创新性，避免产生专利侵权风险。公司在战略上持续跟踪未来半导体的新技术方向和市场应用方向。依托在半导体器件、半导体材料领域多年的研发技术积累，公司已成立半导体新材料器件研究院，致力于半导体材料和器件产业共性技术、关键技术和前瞻性技术的引进吸收和自主研发。目前，本公司已经在 LED 外延生长和芯片制造的主要工序上拥有了自己的核心技术，建立了专利保护体系。公司也紧密跟踪新产品升级和技术认证，在国内较早地顺利推出 RGB Mini LED 芯片，已经较大批量出货，背光 Mini LED 产品已经较早完成产品开发，并与主要客户一同合作开发背光系统解决方案。并购的蓝晶科技在蓝宝石晶体生长的关键技术上拥有完整的自主知识产权，自主研发的坩埚下降法及单晶生长炉系全球独家技术，从而构建了较强的技术壁垒，实现了坩埚下降法的规模化生产。同时公司在新产品新应用领域同步加强了研发部署，Micro LED 显示芯片、电力电子半导体器件领域也都逐步投入了研发力量。本次非公开发行所募集资金将投向“mini/Micro LED 的研发与制造项目”和“GaN 基电力电子器件的研发与制造项目”，通过募投项目的实施，公司能够进一步精进在 Mini/Micro LED、GaN 功率器件等领域的技术实力，抢占行业前沿技术的领先地位，不断提升核心研发能力。 半导体产业具有资本密集、高技术含量、重研发投入的特点，公司通过本次非公开发行筹集长期发展所需资金，提高资产规模，优化资本结构，加大在产业前沿技术方面的投入，积极实施产品升级、产品创新，强化公司提供高端半导体类产品的能力，巩固公司在 LED 芯片行业的龙头地位，并积极抢占 GaN 功率器件领域的国内领先地位，实现公司向高端综合半导体制造商的战略升级，全面提升公司的核心竞争力和可持续发展能力。 公司目前主要的业务收入来自于LED芯片及衬底的销售收入，本次募投项目实施完成后，公司将业务版图拓展至GaN功率器件新领域，进一步拓宽了收入来源、丰富了业务结构，可有效加强公司一站式服务能力，并通过交叉销售、研发共享等方式发挥各业务板块间的协同效应，降低单一业务带来的波动风险。 |
